Latch up、Latch up、NBL layer在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說
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Latch up在Latch up - 中文百科知識的討論與評價
latch up. latch up. ƒ Latch up 是指cmos晶片中，在電源power VDD和地線GND(VSS)之間由於寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路。
Latch up在闩锁效应（Latch-up）详解 - 知乎专栏的討論與評價
Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生 ...
Latch up在閂鎖效應_百度百科的討論與評價
閂鎖效應（Latch-up）是CMOS集成電路中一個重要的問題，這種問題會導致芯片功能的混亂或者電路直接無法工作甚至燒燬。
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Latch up在閂鎖效應:簡介,原理分析,產生Latch up 的具體 ... - 中文百科全書的討論與評價
靜電是一種看不見的破壞力，會對電子元器件產生影響。ESD 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應（latch-up），是半導體器件失效的主要原因之一。如果有 ...
Latch up在Latch-up 閂鎖效應& 靜電放電模式@ 廖恒德的 ... - 隨意窩的討論與評價
* Latch-up 閂鎖效應, 又稱寄生PNPN效應或可控矽整流器( SCR, Silicon Controlled Rectifier ) 效應. 在整體矽的CMOS 管下, 不同極性攙雜的區域間都會構成P-N結, 而兩個 ...
Latch up在[08S042]CMOS積體電路Latch-Up/Transient Latch-Up測試與防護的討論與評價
CMOS積體電路Latch-Up/Transient Latch-Up測試與防護熱烈招生中. CMOS積體電路或電子產品之EOS(含LU)破壞是影響IC或零組件可靠性及延緩上市的重要因素，因此無論由製程 ...
Latch up在Latch-up - Wikipedia的討論與評價
During a latch-up when one of the transistors is conducting, the other one begins conducting too. They both keep each other in saturation for as long as the ...
Latch up在[問題求助] 請問latchup的正確講法 - Chip123的討論與評價
latchup 是因為靠近Rnwell電阻大,所以VB1<VE1=VDD所以第一及的BJT導通,所以產生射極電流,然後產生集極電流,集極電流流到Rsub(大電阻),所以端電壓升高也 ...
Latch up在Latch up 的定义的討論與評價
Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线. GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互. 影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和. GND之间产生大电流.